傳HBM良率僅為65% 存儲大廠力爭通過英偉達測試
集微網消息,HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應用於最先進的人工智能(AI)芯片,據業界消息,英偉達的質量測試對存儲廠商提出挑戰,因為相比傳統DRAM產品,HBM的良率明顯較低。
台積電、三星代工等公司,此前在加工單一矽晶圓時一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰,但當前這一問題蔓延到了HBM行業。
消息稱美光、SK海力士等存儲廠商,在英偉達下一代AI GPU的資格測試中將進行競爭,似乎差距不大,而良率將是廠商們的阻礙。
據悉,HBM製造過程中,多層堆曡的復雜性導致良率變低,小芯片之間通過矽通孔(TSV)工藝相連,這種復雜性增加了製造過程中出現缺陷的機會。如果HBM中的一層被證明有缺陷,那麽整個堆曡都會被丟棄,因而造成良率難以提升。
消息人市場稱,目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右,其中美光、SK海力士似乎在這場競爭中處於領先地位。據悉,美光已開始為英偉達當前最新的H200 AI GPU生產HBM3e存儲芯片,因為其已通過Team Green設定的認証階段。
SK海力士副社長Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出,雖然外部不穩定因素仍然存在,但今年存儲芯片市場有望逐漸回溫,PC、智能手機等應用,不僅會提升HBM3e銷量,也能帶動DDR5、LPDDR5T等產品需求增加。這名高管表示,旗下HBM已全部售罄,公司已開始為2025年準備。
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