微矽創新版3月掛牌 20日起競拍

微矽電子（8162）配合創新板上市前公開承銷，對外競價拍賣3436張，競拍底價32.41元，競拍時間自2月20日至22日，2月26日開標，暫定3月7日掛牌。

隨著半導體技術的不斷發展，元件變得更小、更快、更強大，第三代半導體測試技術必須能夠應對這些變化，確保半導體元件的性能達到設計要求。同時，第三代半導體測試技術可以支持新型元件和新技術的測試和驗證，有助於加速創新的推出。微矽電子測試封裝產品線涵蓋GaN、SiC、MOSFET、IGBT、Diode、PMIC及MCU等，可提供客戶多樣性的產品測試封裝需求。

此外，因應半導體市場對第三代半導體GaN及SiC為基材之產品需求增加，該公司亦具備第三代半導體相關之產品測試能力。微矽電子除深耕於測試與封裝服務外，亦跨入晶圓薄化服務，包括為晶圓進行正面金屬鍍膜、晶圓背面研磨與金屬鍍膜，能幫助降低電流通過之阻值，以減少功率損耗，除了有效減少後續封裝體積外，並能減少熱能累積效應，滿足終端產品走向「節能」的趨勢。

微矽董事長張秉堂表示，第三代半導體面臨多項高技術含量挑戰，包括尺寸和密度的提高、高速度操作、功耗管理、新材料和結構的應用，以及更嚴格的可靠性要求。首先，半導體元件尺寸更小且密度更高，需要創新的測試解決方案和設備以確保測試可行性。其次，高速度操作要求更先進的測試設備和演算法，以避免性能瓶頸。

此外，功耗管理變得更加關鍵，需要新的低功耗測試技術。同時，由於新材料和結構的應用，必須開發新的測試技術以應對這些挑戰。最後，為了滿足更高的可靠性需求，需要長時間的測試和大量的測試數據分析，也因此，在第三代半導體相關產品測試上具有相當高的門檻。

根據集邦科技預測，第三代功率半導體市場呈現強勁增長。從2021年的9.8億美元預測至2025年將達到47.1億美元，年複合成長率高達48%。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC），應用範圍涵蓋快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、充電樁、太陽能、風電、儲能系統等多個領域。第三代半導體已成為全球發展的重要趨勢，並在高壓、高頻、高電流、高功率和低功耗應用中發揮著關鍵作用。

微矽在第三代半導體氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）的測試、薄化與切割技術上領先同業3到5年；隨著客戶產品需求成長，可望帶動公司長期營運動能。