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可降低製程成本 華為公開「晶體管製備方法和晶體管」專利
集微網消息，天眼查顯示，華為技術有限公司近日公開多條專利信息，其中一條名稱為「晶體管的製備方法和晶體管」，公開號為CN116266536A。
專利摘要顯示，本申請晶體管的製備方法，利用在蝕刻層間介質層進行開設槽型孔的過程中一並蝕刻去除所述虛擬柵極，並利用槽型孔形成金屬柵極，相比現有高介電常數金屬柵極製備製程，可節省製程步驟，降低製程成本。
具體方法包括提供半導體襯底；在半導體襯底上依次層曡形成氧化物介質層、高K介質層、虛擬柵極；在半導體襯底中開設凹槽，並在凹槽中形成源極和漏極；形成覆蓋半導體襯底和虛擬柵極的層間介質層；在層間介質層中形成分別對準源極和漏極的通孔和對準虛擬柵極的槽型孔，在形成槽型孔的過程中去除虛擬柵極；在槽型孔和通孔中形成導電金屬材料。本申請還提供應用該方法製得的晶體管。
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