助2奈米以下製程發展 imec攜兩大日廠推進EUV CNT技術

半導體研究機構比利時微電子研究中心（imec）攜手日本化工及極紫外光（EUV）光罩護膜大廠三井化學共同宣布，為了推動針對極紫外光（EUV）微影應用的奈米碳管（CNT）曝光薄膜技術商業化，雙方正式建立策略夥伴關係。

此次合作，三井化學將把imec根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術，整合至三井化學的曝光薄膜技術，目標是實現能夠全面投產的規格，預計將在2025～2026年導入高功率的極紫外光（EUV）系統。此次簽約在甫落幕的東京2023 SEMICON Japan日本國際半導體展期間進行。

本次策略夥伴關係旨在共同開發曝光薄膜及極紫外光（EUV）光罩護膜，由imec提供技術諮詢與極紫外光（EUV）曝光機測試，三井化學進行商用生產。這些光罩護膜被設計用來保護光罩在極紫外光（EUV）曝光時免受汙染，不僅具備很高的極紫外光（EUV）穿透率（大於或等於94％）和極低的極紫外光（EUV）反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進半導體製造達到高良率和高產量所需的關鍵性能。

這些奈米碳管（CNT）光罩護膜甚至還能承受超過1kW等級的極紫外光（EUV）輸出功率，有助於發展新世代（高於600W）的極紫外光源技術。於量產導入極紫外光（EUV）微影技術的廠商對這些性能產生濃厚興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開發可供商用的奈米碳管（CNT）光罩護膜技術，以滿足市場需求。

imec先進圖形化製程與材料研究計畫的資深副總Steven Scheer表示，在協助半導體生態系發展新世代微影技術方面，imec擁有多年經驗。從2015年開始，我們與整個供應鏈的夥伴們建立了合作，為先進的極紫外光（EUV）微影技術開發奈米碳管（CNT）光罩護膜的創新設計。

Steven Scheer說，有信心在量測、特徵化、奈米碳管（CNT）薄膜特性和性能方面我們所掌握的深度知識將能加速三井化學的產品開發。透過合作，我們希望能為新世代極紫外光（EUV）微影技術推動奈米碳管（CNT）光罩護膜的生產。

在此微影技術發展藍圖下，新型光罩薄膜預計於2025～2026年推出，屆時艾司摩爾（ASML）開發的新一代0.33數值孔徑（NA）微影系統也將能支援輸出功率超過600W的曝光源。此開發時程攸關2奈米以下邏輯晶片技術的導入。