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M31獲美國一線大廠訂單 7、5、3奈米 IP 有望接連報喜

M31董事長陳慧玲(左)與總經理張原熏。圖/M31提供
M31董事長陳慧玲(左)與總經理張原熏。圖/M31提供

矽智財(IP)廠M31(6643)宣布,7奈米製程快閃記憶體接口IP已完成矽驗證,支援最高速達每秒3.2GB,同時內部已著手開發5奈米開放式NAND Flash介面(ONFI)5.1的IP與3奈米ONFI 6.0的IP,並且已獲美國一線大廠採用,積極布局人工智慧與邊緣運算應用的大數據存儲市場。

近年來SSD正在取代HDD成為主流的存儲媒介,SSD的存取速度更快、容量更大,體積小巧還可以降低系統成本,並在人工智慧、邊緣運算、雲計算等應用技術躍進的催化下,海量資料的存儲與交互需求,更使SSD發展迎來全新的高算力時代。

主控晶片NAND Flash為SSD的核心,為大幅度提高數據存儲和傳輸的效率,現行主流SSD皆採用PCIe Gen 4介面,且高階SSD也開始使用PCIe Gen5介面,整體介面傳輸速度的大幅提升,使相應的開放式NAND Flash介面速度表現成為存儲晶片的關鍵性要素。

M31表示,公司遵循國際開放式NAND Flash介面規範,緊跟速度推升趨勢與最新先進製程技術,密切開發由開放式NAND Flash介面5.0的2.4GB/s提升到ONFI 6.0的4.8GB/s的頻寬技術,並提供製程節點由55奈米至3奈米全面性的ONFI矽智財解決方案,滿足市場對於高性能、高可靠性及低成本儲存的晶片設計需求,並依客戶需求客製化所需要的功能。

憑藉M31豐沛的研發實力與紮實的客戶合作經驗,M31不僅僅提供單一I/O,也針對高速高效能ONFI I/O所產生資料匯流排上的負載和損耗問題,M31更能進一步提供包含序列排序規劃(pad sequence arrangement),緩衝器規劃(bumper arrangement),基板繞線建議(substrate routing suggestion)等幫助客戶成功設計的完整解決方案。

NAND NAND Flash SSD 奈米 晶片 矽智財

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