南亞科：Q4虧損有機會收斂

DRAM大廠南亞科（2408）昨（11）日召開法說會，總經理李培瑛表示，目前市場需求已有所改善，估第4季位元出貨量將增加，現階段DDR5價格已漲，公司主力的DDR3、DDR4跌勢已止，在價格有望翻揚下，虧損有機會收斂。

由於記憶體原廠積極控制產出，加速產業重返健康水位，南亞科昨天法說會備受市場關注。

李培瑛表示，從各個需求面看，企業雲端應用帶動AI運算及DDR5的需求，本季起伺服器市場有望逐季改善。手機方面，全球智慧手機持續發展AI應用功能，將刺激消費者換機意願，預期第4季中國大陸手機銷量有機會止跌回升。

在PC領域，看好新產品推出帶動對DDR5及LPDDR5需求，並將逐漸取代DDR4及LPDDR4成為主流。至於消費型電子終端產品，包括電視、IP CAM、網通、工控及車用等需求都維持穩健成長。

法人關心第4季價格走勢，李培瑛強調，會比第3季更穩定，主因各家供應商都想辦法穩住DDR4跌勢、甚至拉升價格，但能否成功要觀察未來幾周變化。當前DDR5價格已上漲，DDR4有兩家大廠壓力減輕，持續跌價機率不高，因此正向看待DDR4、DDR3價格可望翻漲。

有關產能利用率，南亞科第4季生產維持動態調降20%以內，至於明年第1季淡季的價格走勢，李培瑛回應，以目前情況看，淡旺季效應沒那麼大，主要還是整體經濟情況的影響，預計2024年第1季不會更糟。

針對製程推進上，李培瑛首度透露，南亞科10奈米第四代製程將切入極紫外光（EUV）生產，這項製程是和歐洲研發中心共同開發，惟目前仍在測試晶片階段。

李培瑛強調，南亞科的10奈米第二階段已接近完成，除試產8Gb DDR4產品 ，還包括16Gb DDR5 DRAM產品，預定明年第2季完成驗證，明年第3季放量。

李培瑛說明，南亞科10奈米製程短期著眼於應用伺服器領域的高密度DRAM，第四代的EUV製程成熟時，再推出搭配矽鑽孔（TSV）和較複雜封裝架構的高頻寬記憶體（HBM），迎合市場快速發展的AI智慧化商機。

有關對華為出貨情況，李培瑛說，曾向美國政府提出申請，但仍未獲批准；至於三星和SK海力士大陸廠獲無限期豁免使用美國設備生產晶片，他認為對DRAM市場不會有重大影響。