三星向外界公佈 GAA MBCFET 技術最新進展
集微網消息,三星 Foundry 在5月9日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公佈了旗下3nm GAA MBCFET技術的最新進展以及對SRAM設計的影響。
三星表示,相較 FinFET,MBCFET 提供了更好的設計靈活性:在傳統的FinFET結搆中,柵極所包裹的鰭片高度是無法調整的;而 MBCFET則將鰭片橫向堆曡在一起,所以奈米片的高度可以自行調整,能提供相對FinFET更多的通道寬度選擇。
MBCFET 的這一特性為 SRAM 單元設計提供了更大的靈活性,可以在PMOS和NMOS之間形成最佳平衡。
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