集邦估Q2 DRAM合約價漲幅上修至13~18% NAND 約15~20%
據 TrendForce 最新預估,第2季 DRAM 合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash 合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產品僅 eMMC/UFS 價格漲幅較小,約10%。
403地震發生前,TrendForce 原先預估,第2季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash 為13~18%,相較第1季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出,現貨價已連續走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智慧型手機的需求尚未有復甦跡象,買方在手庫存逐漸增高,又以PC OEM 為最。同時,DRAM 及 NAND Flash 至今已分別續漲2~3個季度,買方要再接受大幅漲價的意願消退。
403震後,市場零星傳出有PC OEM 供應商出於特殊考量,接受高昂的 DRAM 及 NAND Flash 合約價漲幅,但僅是零星成交案件。至4月下旬,相關業者陸續完成新一輪合約價議價後,漲幅較原先預期擴大,推動 TrendForce 同步上修第2季 DRAM、NAND Flash 合約價漲,除反映買方欲支撐在手庫存的價值,關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。
TrendForce 表示,由於原廠擔憂後續有HBM產能排擠效應,以三星(Samsung)來看,HBM3e產品採用1alpha製程節點,至2024年底將占用1alpha製程產能約六成,進一步排擠 DDR5供給量,尤其以第3季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大,經評估後買方轉而願意第2季提前備貨,因應第3季起可能出現HBM供應短缺。
同時,隨著節能成為AI推論伺服器(AI Inference Server)優先考量,北美雲端服務業者(CSP)擴大採用 QLC Enterprise SSD 作為存儲的解決方案,帶動 QLC Enterprise SSD 需求,並加速部分供應商的庫存去化,推動部分供應商出現惜售心態。值得注意的是,受限於消費性產品需求復甦情況不明朗,故原廠普遍對於非 HBM 晶圓產能的資本支出趨於保守,尤其是價格仍處於損益平衡點的 NAND Flash。
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