英特爾攜聯電強攻12奈米 預計2027年投產

英特爾昨（25）日晚間宣布，將與聯電（2303）共同開發12奈米製程平台技術，並利用英特爾位於美國的晶圓廠產能生產，雙方也將共享合作所獲得的現金，預計2027年投產。

這是英特爾首度與台灣晶圓代工業者合作開發製程。英特爾正積極跨足晶圓代工事業，此次與聯電合作，不僅開啟台美晶圓代工業新里程碑，也啟動全球晶圓代工業新競合關係。

英特爾與聯電都未透露合作雙方預計投入的金額。外界關注此次與英特爾合作的成本與效益，聯電表示，雙方合作的技術要等到2027年才會投入生產，屆時才會開始貢獻營收，因此投入金額無法透露，是兩邊共同負擔。至於是否再往先進製程的方向前進，聯電則說，不回應太遠的事情，基本上公司以財務指標可以負擔為主。

聯電昨天台灣普通股勁揚1.7元、收當日最高價52.3元。與英特爾合作開發12奈米製程平台消息傳出後，聯電周四ADR早盤漲約1.6%，英特爾早盤漲約0.7%。

英特爾指出，與聯電合作開發12奈米製程平台，主要用來因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。

英特爾指出，雙方合作的新製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，可透過運用晶圓廠的現有設備大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經理Stuart Pann表示，幾十年來台灣一直是亞洲和全球半導體及廣泛生態系的重要成員，英特爾致力於與聯電這樣的台灣創新企業合作，為全球客戶提供更好的服務。

英特爾強調，與聯電的策略合作，進一步展現英特爾為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾，也是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程合作，是該公司追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環。

聯電預期，這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。