AI浪潮來襲！美光全力衝HBM市場 「12層堆疊」明年可望亮相

為搶攻這波人工智慧（AI）浪潮帶來的商機，記憶體大廠美光（Micron）正全力布局高頻寬記憶體（HBM）市場。美光副總裁暨先進封裝主管 Akshay Singh 表示，預估2022～2025年的整體 HBM 市場年複合成長率（CAGR）將可望超過五成，美光未來在整體位元出貨比重將可望有一成是 HBM，且明年1 beta製程的 HBM3 Gen2 將開始量產出貨，全力搶食這波AI大餅。

Akshay Singh 指出，在 ChatGPT 出現之後，AI正滲透到所有使用者周邊，也變得相當廣為人知，且未來AI除了現在的主要以文字為主的大型語言模型（LLM）之外，未來還會把語音、參數等數據導入到 LLM 當中，由於AI訓練需要的記憶體大容量及高傳輸量都同步看增，使 HBM 需求開始大幅增加。

Akshay Singh 引用市場研究機構資料指出，從2022～2025年的 HBM 整體市場年複合成長率將達50％以上。Akshay Singh 表示，AI需求當中的 HBM 容量將會是一般市場需求的五倍以上，預期未來幾年美光在 HBM 位元出貨量將可望佔整體出貨比重的一成水準。

Akshay Singh 指出，美光推出的 HBM3 Gen 2 將會採用1 beta製程，當前已經在送樣階段，預計將在明年第1季開始放量出貨，並將採用先進封裝製程，讓8層晶粒堆疊讓一顆記憶體晶片就能有24Gb的容量，使其與一般記憶體面積尺寸幾乎相同。

據了解，目前美光採用的8層堆疊模式是全球首創，優勢在於堆疊層數越少，散熱效率就可望越高，讓晶片效能能夠穩定發揮，且現在美光已經規劃推出12層堆疊的36Gb DRAM 晶片，容量較先前8層堆疊可望提升50％，預期明年將可望對外亮相。