東京電子 成功開發400層堆曡3D NAND閃存技術
集微網消息，東京電子（TEL）6月9日發佈消息，宣佈成功開發出一種存儲晶片通孔蝕刻技術，可用於製造400層以上堆曡的3D NAND閃存晶片。研究團隊開發的新工藝，首次將電蝕刻應用帶入低溫範圍，並開創性地發明了具有極高蝕刻速率的系統。
這項創新技術可以在短短33分鍾內完成10微米深度的蝕刻，與此前的技術相比時間大大縮短。東京電子表示，該技術的應用不僅有助於製造更高容量的3D NAND，還能夠將全球變煖的風險減少84%。
圖1：蝕刻通孔的橫截面、縱截面
圖2：通孔用於3D NAND的示例
東京電子表示，開發這項技術的團隊，將在6月11~16日於日本京都擧辦的2023年超大規模集成電路技術和工藝研討會上發佈最新成果和報告。
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