NAND、DRAM價 有望續漲

NAND Flash、DRAM等記憶體價格反彈，法人圈估計，不僅第4季合約價可望反彈3%~13%，同時明年第1季有望續漲，看好南亞科（2408）、群聯等供應鏈營運後市表現。

國泰證期顧問處經理蔡明翰、台新投顧協理范婉瑜指出，NAND Flash自8月觸底以來，目前累計漲幅約40%~90%，其中主流512Gb TLC wafer整體第4季漲幅已達67%，預估NAND Flash第4季合約價可望全面起漲，漲幅約8%~13%；DRAM自9月觸底以來累計漲幅約5%~20%，其中DDR5 8Gb合約價格11月漲幅4%、優於前月近3%，但主流DDR4、利基型產品DDR3則呈放緩趨勢，預計第4季合約價全面性止跌回升3%~8%。

由於NAND與DRAM反彈漲幅差異主要是因為先前NAND大幅虧損，導致原廠更積極拉升報價及減產，目前仍未回復損平下，預估NAND漲勢仍將持續。

從需求而言，預估2024年手機、PC出貨量將分別年增5.3%、4.1%，其中新處理器平台將持續推升DDR5滲透率，隨生成式AI將搭載於手機、PC上，AI學習資料儲存需求將需要更大儲存空間，將進一步推升NAND需求，伺服器預估隨景氣逐步復甦，AI趨勢將持續推升DDR5、HBM等需求。

在供給方面，今年第3季起，隨大廠虧損收斂，庫存持續改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化，三星本季減產預估減產效應將在明年上半年發酵，明年DRAM價格仍能逐季成長。