世界先進擬研發全球首例氮化鎵磊晶於八吋QST 基板 獲經部1.5億元補助

經濟部已召開A+企業創新研發淬鍊計畫2024年第一次決審會議，今（15）日公布通過四項業界研發計畫補助。其中，世界先進（5347）擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於八吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場。該研發計畫30個月，獲得經濟部1.5億元研發補助。

世界先進係以「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」，向經濟部產業技術司申請A+補助計畫。經濟部指出，這項計畫充分利用GaN-on-QST八吋基板熱匹配特性，預期提升元件耐壓至1200V以上，開發後將可提供更優越的電動車車載充電器、充電樁等高壓高功率系統的元件選擇，結合效能和成本優勢。研究機構Yole預估，2028年GaN整體市場需求將超過20億美元。

經濟部指出，世界先進這項研發計畫將自2024年啟動，預計於3年內完成開發進入量產，同時整合國內上下游產業，建立完整自主生態供應鏈，預估衍生投資所帶來效益可帶動上下游產業整體潛在就業機會，並以每年超過10%的比例持續成長。此全方位布局將可強化台灣於化合物半導體領域的自主開發實力，極大化氮化鎵於電動車、數據中心電源系統、再生能源儲能系統等市場的市佔率，進而在全球競爭中獲得戰略優勢。

除了世界先進外，經濟部A+企業創新研發淬鍊計畫亦同步通過康淳科技等三家公司合作開發的「高離子通量低碳排創新海淡系統之關鍵材料技術開發計畫」、福記冷凍食品「蛋原料品質暨儲運數位協作開發計畫」，以及安宏生醫「針對雄激素受體：開發前列線癌治療的前導化合物，並推進NMR-AI平台以增強藥物設計能力」計畫。