陸記憶體晶片技術緊追韓廠 在高頻寬產品領域差距縮短至三年

人工智慧（AI）帶動高頻寬記憶體（HBM）需求增加，使全球存儲產業競爭升溫。韓媒指出，大陸記憶體晶片廠商長鑫存儲在HBM3技術上已追平三星電子與SK海力士，使中韓在HBM領域差距由過去多代落後縮短至約三年。

首爾經濟日報報導，業內消息人士透露，長鑫在技術層面已具備HBM3量產能力，雖然良率仍為主要限制因素，但已不存在明顯代差。HBM3為當前AI GPU廣泛採用的第三代高頻寬記憶體，輝達（NVIDIA）H100採用該規格，而大陸特供版H20亦搭載HBM3。

報導稱，三星電子與SK海力士仍保持領先，最新AI晶片已導入HBM3e規格，並預計於年底開始簽訂HBM4供應合約。HBM4在資料傳輸能力上較HBM3接近倍增。

快科技指出，HBM4為重大代際跨越，數據傳輸量較HBM3接近翻倍，且AI GPU製造仍依賴台積電（2330）先進封裝等複雜製程，相關環節仍具瓶頸。

至於產能與投資，報導稱，長鑫預計至2026年底具備月產30萬片12吋晶圓的HBM產能規模，並已獲得上海科創板IPO核准，計劃募資人民幣295億元用於技術升級及擴產，最快今年7月就會掛牌上市。

據業內人士說法，長鑫已經完成HBM3技術突破，製造能力接近韓系廠商，但良率仍是主要問題。分析人士認為，長鑫採取跨代技術路徑，從DDR4直接進入HBM3開發，縮短了追趕時間。

在供應鏈層面，AI晶片製造仍依賴台積電先進封裝等關鍵環節，HBM製程涉及矽通孔（TSV）與3D堆疊技術，量產良率與客戶認證仍為主要門檻。

另據大陸科技媒體CNMO報導，業內人士分析，雖然大陸國內HBM研發進展較快，但核心競爭力仍涉及多項製程與量產能力，目前與韓系及美系廠商仍有差距。

此外，快科技認為，在AI需求帶動下，全球HBM供應緊張，三星與SK海力士產能接近滿載，有助於長鑫在供應缺口中加速技術驗證與產能布局。