大陸擬建立自主極紫外光刻機 專家：距真正量產恐怕還有10年的路要走

路透報導，中國科學家已打造出一個能夠生產尖端晶片的機器原型。北京當局更已設定目標，要在2028年前使用這台原型機生產出可用晶片。中國在先進晶片製造上能因此迎頭趕上嗎？半導體專家指出，中國試圖建立自主極紫外光刻機（EUV），但要進到真正量產，恐怕還有長達10年以上的路要走。

路透報導，消息人士透露，這台原型機今年初便已完成，目前正在測試中，而這台設備由荷蘭半導體巨頭艾司摩爾（ASML）的一個前工程師團隊打造，他們對該公司的EUV進行了逆向工程。

深圳的這台設備據傳已經可以運行，並能成功產生極紫外光，但尚未生產出可用的晶片。當局目標在2028年前使用這台原型機生產出可用晶片。不過，知情人士表示，更實際的時間表是2030年，而這仍比分析師預估的時間提前數年。

知情人士並將這形容為中國版的「曼哈頓計畫」，也就是美國二戰時研發核武的行動。北京的目標自然是讓中國最終能夠使用完全本土製造的設備，生產先進晶片，將美國100%踢出供應鏈。

對此，半導體設備商透露，半導體微影設備，最關鍵是試驗場域，荷商艾司摩爾過去在浸潤式曝光機，以193奈米波長擊潰日商，成為全球微影設備巨擘，就是有台積電強力支持，後來推進至極紫外光（EUV）微影設備，由高達40多萬個精密元件組成，也是靠目前全球製程領先的晶圓廠支持。

中國受到美國禁止艾司摩爾將先進EUV輸往中國，限制中國先進製程發展，甚至建立學習曲線，因此儘管透過不斷淬鍊的實驗去達成高精度光學系統，試圖建立自主EUV設備，但要進到真正量產，恐怕還有長達10年以上的路要走。