長江存儲攻高頻寬記憶體

大陸加緊發展AI，努力推進國產化高頻寬記憶體（HBM）。快閃記憶體（NAND Flash）製造商長江存儲正積極準備進入HBM領域，並尋求與長鑫存儲合作，共同攻克技術難關，進而符合大陸政府想降低對三星、SK海力士、美光的依賴。不過雙方合作能否順利落地，仍取決於設備取得與客戶驗證的進展。

資訊科技網站Tom’s Hardware報導，HBM已成為記憶體市場成長引擎，由GPU和客製化AI晶片（ASIC）驅動。美國工業與安全局（BIS）在去年12月的規範中，特別將HBM列入管制清單，同時擴大對晶片製造設備的限制，收緊大陸取得這些關鍵技術機會。

長鑫存儲有紮實DRAM記憶體技術基礎，長江存儲則有先進封裝技術Xtacking（晶棧）製程，理論上也可以用於記憶體鍵合（Bonding，指互相接合）與封裝，尤其是隨著HBM的不斷迭代，混合封裝是提升頻寬、改進散熱關鍵所在。

科技網站「存儲世界」此前報導，長鑫存儲正積極推進由三星電子和SK海力士領銜的HBM 3（第三代高頻寬記憶體）技術。長鑫存儲科技已完成HBM 3樣品的開發，近期已與多家大陸AI硬體初創公司完成測試，並與大陸領先的AI公司簽署試點合約。

長鑫存儲計畫於2026年初開始向AI加速器、GPU和資料中心客戶供貨。如果長鑫存儲成功供應HBM，它將成為繼SK海力士、三星和美國美光之後，全球第四大HBM 3供應商。

集邦諮詢（TrendForce）分析師許家源日前指出，HBM技術每2-3年迭代，但未來兩年將加速推進，預計HBM 3E將占據2025年出貨市占超過90%，2026年HBM 4將開始滲透入市場，供應商預計2026年第2季量產。

長江存儲在這次潛在合作中，價值不在於DRAM經驗，而是鍵合技術。長江存儲使用「Xtacking」技術應用於3D NAND，能有效提升數據處理速度。隨著HBM堆疊高度增加，整體正朝向混合鍵合（Hybrid Bonding）技術遷移，以提升頻寬與散熱效能。