長鑫存儲傳數萬片晶圓報廢 懲處名單驚見「台積電前高管」

大陸半導體業界傳出，記憶體廠長鑫存儲合肥廠拚國產化拚過頭，因人為疏失導致良率嚴重受損、品質出現重大缺失，報廢數萬片晶圓，無法如期交貨給客戶，相關營運主管皆遭受懲處或停職，其中還包括帶槍投靠的前台積電某廠長。

根據SemiconVoice報導，長鑫存儲內部文件顯示，本次人為疏失造成數萬片晶圓毀損，產線出現良率與品管的重大損失，關鍵產品無法如期交貨，損害公司在市場上的信譽。經調查後，營運中心負責人、合肥晶圓廠廠長等高階主管皆遭懲處。

消息指出，本次遭撤換的合肥廠長，正是來自台積電上海松江廠廠長，當年他率領百餘人跳槽至長鑫，令業界相當震驚。

業界人士表示，目前個人電腦、手機、消費性產品市場面臨低迷需求，倘若因事故導致次品流入市場低價販售，恐進一步壓抑DRAM價格。

ZDnet Korea報導指出，長鑫存儲的每月晶圓產能規模，從2022年的7萬片，快速成長到2023年12萬片，預計2024年將達到20萬片。目前主要產品線包含17奈米、18奈米的DDR4與LPDDR4，最新產品為12奈米DDR5、LPDDR5X記憶體，也企圖生產AI的HBM（高頻寬記憶體）。

日經亞洲評論報導，在AI市場蓬勃發展下，長鑫存儲已著手布局HBM高頻寬記憶體生產計畫，並採購相關設備。該公司在合肥附近營運DRAM晶圓廠，正籌資興建第2座晶圓廠，預計導入更先進製程，用於製造、封裝HBM高頻寬記憶體。

彭博指出，美國政府正考慮將長鑫存儲等多家大陸科技企業列入制裁名單。SEMICONVoice引述市場消息指出，面對美國出口管制趨嚴，大陸半導體產業正加速設備和材料國產化進程。