陸自製DUV大突破 可生產8奈米晶片...將衝破美國圍堵

大陸工信部公布一項通知顯示，大陸已取得技術突破，研發出深紫外光曝光機（DUV），可生產8奈米及以下晶片，目前正在推廣應用。

中美近年掀起科技戰，美國積極防止大陸取得先進晶片製造設備，但圍堵的成效不佳，有消息顯示大陸已在相關技術取得重要突破，引起科技圈關注。

大陸工信部官網9日公布「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱，重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全。「首台（套）重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。

這份目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），核心技術指標為：「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。

這也代表，這台大陸國產DUV曝光機可生產8奈米及以下晶片。至於大陸國產DUV曝光機的（製造）良率則未提到。

大陸科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱，大陸自己的DUV曝光機終於來了，雖與晶片製造設備龍頭艾司摩爾（ASML）曝光機存在幾代差距，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機（EUV）。

從工信部的消息看，這次突破主要集中在28奈米。這一節點在半導體製造上具有舉足輕重地位，是許多晶片的基礎過程。這項突破的意義不僅在於技術層面的進步，更在於它為大陸帶來策略上的主動權。

這意味著在未來面對外在挑戰時，大陸將能夠更從容地應對並保持自身的獨立性和自主性。

美國本月初才宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭政府隔天跟進，路透報導，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機（DUV）輸出大陸會受到影響，兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指，大陸若實現國產8奈米及以下製程DUV，未來絕大多數晶片製造將不用受制於ASML。

此外，日經中文網上月底報導，日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示，儘管良率上仍存有差異，但是大陸晶片的技術實力，目前僅落後台積電（2330）三年的水準。

他是在比較台積電2021年量產的5奈米「KIRIN 9000」及2024年中芯國際量產的7奈米「KIRIN 9010」後作出這項結論。

清水洋治並在分析華為智慧型手機後稱，到目前為止，美國政府的管制只是略微減慢了中方的技術創新，但卻推動了大陸半導體產業的自主生產。

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