英飛淩押注氮化鎵，將其視為功率半導體新一輪重要的增長點

集微網消息，歐洲芯片製造商英飛淩押注下一代功率半導體，用於從超高速手機充電器到電動汽車的各種領域，以求在更廣泛的芯片市場低迷的情況下刺激增長。

英飛淩的目標是研發比傳統矽基功率芯片具有更高容量和效率的先進材料。

該公司功率和傳感器系統總裁懷特（Adam White）告訴日經亞洲，英飛淩特別看好氮化鎵(GaN)芯片。

“我們的目標是成為電源系統的芯片行業領導者，”懷特說。“我們看到氮化鎵的臨界點正在實時發生。”

該公司預測，到2027年，氮化鎵芯片市場將以每年56%的速度增長。

據White稱，英飛淩最近披露了一項8.3億美元的收購渥太華芯片設計公司GaN Systems的交易，以擴大其產品組合並“加強其在電源系統領域的領導地位”。

White告訴日經亞洲，這筆交易有待監管部門批準，這將使其專門從事氮化鎵芯片的研發團隊人數增加近一倍，達到450多人，並將其全球客戶數量增加到2000家。

基於氮化鎵搆建的電源芯片更加節能，與基於普通矽晶圓搆建的芯片相比，同樣的容量可以壓縮到更小的空間中，這意味著充電器和適配器也可以做得更小。

例如，當前的iPhone14適配器的輸出功率為20瓦，但使用氮化鎵材料，在類似尺寸的情況下可以增加到120瓦左右。據行業高管和分析師稱，對於用戶而言，這意味著能夠在不到10分鍾的時間內為智能手機充滿電。

氮化鎵和碳化矽都被稱為寬帶隙半導體。與更常見的矽基芯片相比，寬帶隙芯片可以處理更高的電壓，並且在更高的溫度下更耐用。兩者中，碳化矽被認為更適合用於大功率電動汽車充電器和儲能系統的功率芯片。

除了收購GaN Systems，英飛淩還斥資20億歐元擴大其位於馬來西亞居林和奧地利菲拉赫工廠的氮化鎵和碳化矽芯片的產能。

GaN Systems與全球最大的代工芯片製造商台積電密切合作，懷特說，即使在英飛淩完成對這家加拿大公司的收購後，這種計劃仍將繼續。

他說，傳統的矽基電源芯片仍然很重要，並指出英飛淩決定投資50億歐元以提高德國德累斯頓此類芯片的產量。不過，他補充說，與寬帶隙半導體相比，這一領域的增長預計會更慢。

CounterpointResearch的半導體分析師Brady Wang表示，毫無疑問，出於對更好的電源解決方案的需求，寬帶隙半導體將成為市場的主要增長動力。