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長江存儲增產 台廠沒在怕

長江存儲計畫今年將產量翻倍,並開始生產更高階的3D NAND快閃記憶體。(網路照片)
長江存儲計畫今年將產量翻倍,並開始生產更高階的3D NAND快閃記憶體。(網路照片)

中國大陸最大的存儲晶片製造商長江存儲計畫今年將產量翻倍,並開始生產更高階的3D NAND快閃記憶體晶片等先進產品,對於產業是否形成明顯衝擊;對此,國內記憶體廠高層表示,以量和質來看,預計未來二至三年應該都不至於嚴重衝擊產業供需及價格。

根據《日經亞洲評論》報導,中國記憶體製造大廠長江存儲,傳出今年產出將倍增,並計畫投產先進晶片,競爭對手瞄準三星電子及美光等領導大廠;長江存儲計畫在2021年下半年,將記憶體晶片的月產量倍增至10萬片矽晶圓,約占全球產出的7%。

相較之下,全球最大NAND型快閃記憶體製造商三星月產出為48萬片矽晶圓,美國最大記憶體廠商美光則月產18萬片矽晶圓。

該日媒報導,除了擴產現有晶片之外,長江存儲將加速技術開發,打算挑戰三星,以及鎧俠、海力士和美光在內的其他全球領導者,長江存儲最快在今年中試產第一批高級別的192層 3D NAND快閃記憶體,目前該公司生產的是64層與128層的晶片。

三星和美光都在研發176層3D NAND快閃記憶體。目前量產的最先進版本就是128層。長江存儲計劃的192層,在定義上比三星和美光研發的技術更先進,但能否成功仍是未知數。

對此報導,國內記憶體公司高層表示,長江存儲月產能不會超過5萬片,目前全球市占率在2%左右,但由於去年全球前三大記憶體廠也都有擴產計畫,同樣將在今年推出新產能,因此,整體市場供給同步成長之下,長江存儲即使今年順利開出新產能,以全球市占率來看,長江存儲全球市占率能否提升都仍待觀察。

此外,原本的記憶體全球生態中,中國產出的記憶體用於中國產品居多,再加上過去兩年美中貿易戰影響,中國以外的大廠也不太願意冒不確定因素風險採購,因此未來二至三年內,中國記憶體在質和量尚未全面提升前,不易衝擊全球市場供需及價格。

日前,記憶體控制晶片廠群聯董事長潘健成示,有分析師預估第1季儲存型快閃記憶體(NAND Flash)價格可能會走跌,但實際情況與預期不同,目前需求很強,擔心第3季可能會供不應求。

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