華為5奈米晶片的突破 帶動大陸半導體全產業鏈發展

華為早在2020年就委由台積電代工生產5奈米晶片麒麟9000，沒想到華為被美國列入「實體清單」，禁止其與使用美國技術的供應商合作，2020年9月，美國收緊政策，要求任何使用美國設備或技術的晶片代工廠，導致台積電直接「斷供」，華為只能靠囤積的晶片苦苦支撐。

5奈米是當時最先進的工藝之一，涉及大量美國技術，例如EDA電子設計自動化軟體和EUV光刻機，華為的麒麟9000晶片庫存耗盡後，華為手機業務陷入困境，一度靠高通的4G晶片續命。2023年，華為通過中芯國際的7奈米工藝推出麒麟9000S（Mate60Pro），雖然是個突破，但良率低、成本高，且仍受美國調查壓力。

2025年初還傳出華為透過白手套向台積電下單，大量生產華為「昇騰（Ascend）910B處理器」的AI晶片，並將這些晶片運送到中國，違反美國出口管制，但很快就被台積電發現而斷供。

時間來到2025年5月，華為發表鴻蒙電腦，傳出搭載5奈米製程的麒麟X90晶片，這是華為歷經五年研發的首款鴻蒙個人電腦，5奈米製程的麒麟X90晶片，與鴻蒙系統深度協同，讓操作更為順暢。

有分析指出，華為透過中芯國際N+2製程與長電科技4奈米封裝技術來支撐量產，其實際製程技術相當於7奈米，主要透過小晶片（Chiplet）設計，再藉由先進封裝技術整合實現性能躍升。大陸中芯國際最先進工藝製程為7奈米（N+2），良率僅50%，且缺乏EUV光刻機支持，只能透過DUV光刻機多重曝光來達成5奈米，這也是良率偏低的重要原因。

華為的5奈米技術路線徹底避開EUV光刻機依賴，華為採用上海微電子研發的SSA800系列步進掃描光刻機，通過多重曝光實現5奈米線寬；刻蝕機採用中微公司的5奈米刻蝕設備，精度達到原子級，號稱刻蝕速率比國際水準提升15%。

至於量測設備，北方華創的電子束量測系統，實現奈米級缺陷檢測的國產化替代。也就是說，華為5奈米的突破，帶動大陸國內半導體設備、材料、設計工具等全產業鏈發展。

據華為內部消息，華為已啟動3奈米晶片研發，採用GAA環繞柵極技術和二維材料，預計2026年流片。同時，基於碳奈米管的3奈米碳基晶片已完成實驗室驗證，正在中芯國際進行產線適配。