記憶體四強 大摩力挺

美光最新財報優於市場預期，摩根士丹利（大摩）指出，傳統記憶體（Legacy Memory）供給吃緊情況超乎預期，已引發企業客戶恐慌性採購，帶動市場漲價動能延續。其重申看好後市需求與價格表現，並同步調升華邦電（2344）等四檔記憶體族群目標價，產業後市展望續偏多。

四家台廠中，華邦電2026至2028年每股稅後盈餘（EPS）預估分別調升4%、17%、24%，目標價由222元升至288元；南亞科2026至2028年EPS分別上調7%、15%、14%，目標價由380元升至550元；旺宏2026至2028年EPS分別上調34%、20%、21%，目標價由202元升至220元；力積電則由88元升至111元，因對2026至2028年EPS預估值分別上調4%、48%、62%。

大摩大中華區半導體主管詹家鴻表示，鑑於DDR4市場持續供不應求，在缺貨預期升溫下，企業客戶近期積極提前鎖定貨源，帶動備貨需求升溫。目前通路庫存仍維持在兩周以下低水位，供給吃緊情況未見緩解，預期在先前已連續數月出現雙位數漲幅後，DDR4價格漲勢可望一路延續至第4季。

詹家鴻分析，高密度SLC NAND快閃記憶體除持續支援資料中心企業級固態硬碟（eSSD）外，隨著多層儲存單元（MLC）NAND供應短缺，企業級傳統硬碟（HDD）可能加速轉向採用高密度SLC NAND。在第3季報價寫下50%至60%的驚人漲幅後，此規格轉變將為市場注入更強勁的價量動能，漲勢可望延續至第4季。

隨著市場需求逐步由NOR轉向NAND，美光下半年已縮減NOR供應，研判與產能轉向支援DRAM與NAND有關，進一步加劇NOR供給緊張。

另一方面，隨著下半年輝達Vera Rubin機架進入量產，NOR Flash用量預估將較Grace Blackwell機架增加逾50%，帶動需求同步升溫。市場預期NOR Flash價格第3季將上漲30%至40%，且漲勢有望延續至第4季。