華邦電第2季匯損擴大虧損 陳沛銘：這一季是未來兩年最低點

記憶體大廠華邦電（2344）6日召開第2季法說會，受新台幣大幅升值與子公司新唐（4919）匯兌損失擴大影響，單季稅後淨損擴大至16.3億元，歸屬母公司虧損13.12億元，每股虧損0.29元。不過總經理陳沛銘強調，旗下DRAM事業CMS本季出貨創兩年新高，並樂觀看待後市成長動能，直言：「第2季往前兩年是我的新高、可是往後兩年我認為它是我的最低，這個我可以很有信心跟大家報告。」

公司合併營收為210億元，季增5.1%，但合併毛利率與營益率雙雙下滑，匯損達5.2億元，其中大部分來自新唐，華邦本身則控制在1億元內。平均匯率由上季的32.82元急升至31.03元，是壓縮毛利主因之一。

在應用市場方面，華邦記憶體本業銷售明顯回溫，四大應用領域全數成長，其中車用與工控類季增達23%，消費性電子成長18%，電腦與網通類則分別成長10%、8%。陳沛銘指出：「即便在匯率不利的狀況下，我們四個產品應用象限還是持續往上。」

進一步觀察產品線，CMS事業第2季營收季增17%、年增4%，其中20奈米製程的DDR3與DDR4產品已占CMS營收21%，位元出貨（bit shipment）年增超過40%。陳沛銘看好DDR4後續供需情況，表示：「目前市場在DDR4上面有比較大的缺口，這是我們可以繼續琢磨、也預計會持續成長的部分。」

Flash產品方面，第2季營收季增13%、年增4%，bit出貨量也增加約20%，但NOR Flash短期出貨受測試瓶頸限制。陳沛銘透露，目前通路與客戶端庫存極低，公司預期8月起測試機台補足後可望改善供應。「我現在其實業績可以更好，但是因為我貨交不出來。」，他坦言，主因是高密度NOR測試時間較長，「我們從8月份起這個NOR的供應就可以補上來。」

為因應未來成長動能，公司啟動新一波資本支出，董事會已通過投資約40～50億元擴建台中廠Flash產能，未來NOR與SLC NAND總產能將提升超過20%。其中SLC NAND產品受eMMC市場強勁需求排擠，供應日趨吃緊，預期未來成長空間可期。

技術升級方面，華邦預計今年底完成16奈米DRAM製程開發，明年初開始出貨，將有助進一步緩解DDR4供應瓶頸；SLC NAND也將由32奈米轉向24奈米節點。