南亞科、華邦電 後市展望正向

儘管美光股價在公布財報後下跌，法人仍堅定認為，AI發展將是記憶體歷史上增長最快的新驅動力。由於高頻寬記憶體（HBM）對產能排擠效應遠超過中國大陸新增產能，法人預期，在定價能力看升下，台廠南亞科（2408）、華邦電等後市展望依舊正向。

世界半導體貿易統計協會（WSTS）日前將今年全球記憶體銷售額預估數，自前次的1,297.6億美元上調至1,631.5億美元，幅度暴增76.8%；2024年全球半導體設備銷售額預估值，也自前次的5,883億美元上修至6,112億美元，年增16%，創下歷史新高。

事實上，日前外資法人已上調全球HBM市場預測規模，估計2026年達300億美元，SK海力士將在未來二到三年維持HBM3和HBM3E主導地位，整體HBM市占率達50%以上；三星在HBM2E保持領先。

另外，因先進DRAM投資將復甦，法人也看好東京威力科創在蝕刻、塗布與顯影設備專利技術的競爭力，後市可期。

台廠方面，本土某大型券商投顧指出，美光於法說會指出，2025年NAND及DRAM的leading-edge產品供應仍非常吃緊，且HBM產能提升將限制傳統DRAM產品供應。暗示美光計畫將傳統DRAM產能升級為HBM產能，以達成其HBM市占率目標。

另方面，部分投資人擔心大陸業者正擴大記憶體產能，恐對市場合約價與現貨價造成影響。

不過，本土某大型券商投顧預估，即便大陸業者擴大生產能量，也無法彌補HBM對產能造成的排擠，因此DRAM廠如南亞科、華邦電定價能力將進一步提升，成為受惠族群。