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華邦電、群聯 大摩升評

華邦電董事長焦佑鈞。聯合報系資料照
華邦電董事長焦佑鈞。聯合報系資料照

摩根士丹利證券(大摩)發布報告指出,對儲存型快閃記憶體(NAND Flash)模組轉趨樂觀,主因出現復甦跡象,但利基型動態隨機存取記憶體(DRAM)仍存隱憂。在台股中,大摩對華邦電(2344)及群聯評等都提高到「優於大盤」。

在大摩看好的大中華記憶體族群中,華邦電是最看好的台股個股,評等從「劣於大盤」連升二級到「優於大盤」,目標價更從12元增加一倍多到25元,主要是基於兩大利多。首先,華邦電的編碼型快閃記憶體(NOR Flash)、DRAM及邏輯產品都受惠於景氣周期觸底反彈。

其次,華邦電進軍邊緣人工智慧(AI),開發新技術客製化超高頻寬元件(CUBE),相關產品明年起對營收可望產生明顯貢獻。大摩仍擔心長鑫存儲的產能擴張,但非中國大陸供應商的利基 DRAM庫存去化即將結束。

大摩將群聯評等從中立調高到「優於大盤」,目標價大幅提高32%到688元,主要基於NAND模組受惠於供給有紀律,加上固態硬碟(SSD)需求強勁,預期今年將表現強勁。

大摩指出,NAND模組底部已過,由於供給有紀律,預期價格可望在今年第2季開始穩定。群聯也看到2月出貨開始增加,3月可望受惠於漲價效應。群聯管理階層指出今年全年需求強勁,甚至還擔心,如果去年第4季減產影響今年第2季的供應,則下半年將無法獲得足夠的NAND。

大摩認為,群聯計畫在今年上半年累積庫存,依據歷史經驗,這通常是周期復甦的跡象。因此,大摩判斷,個人電腦(PC)OEM及智慧機庫存正在減少,如果因應關稅提前拉貨及中國大陸補貼需求持續的時間長於預期,則NAND價格可能在今年第1季反彈。

在這份報告中,大摩對力積電維持中立,對南亞科維持「劣於大盤」。力積電毛利率面臨壓力,大摩維持中立評等及目標價16.5元。南亞科虧損擴大,今年仍充滿挑戰,大摩維持「劣於大盤」,目標價為25元。南亞科今年股價大漲逾三成,同期間DDR4 16Gb現貨價格同期只漲3.5%。大摩認為,股市對現貨價的小漲反應過度,畢竟對南亞科及力積電等利基型DRAM廠來說,合約價才是重點。

快閃記憶體 大摩 南亞科

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