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陳奕光專欄/第三代半導體概念...起飛

台股。 報系資料照
台股。 報系資料照

觀察大盤近日強勁反彈,市場唯一對基本面毫無疑慮的族群就是車用族群。電動車未來要有更好的發展,第三代半導體碳化矽是關鍵。

從鴻海(2317)買下旺宏六吋廠發展SiC、漢磊今年第2季對市場募資預計針對化合物半導體擴產、環球晶董事長徐秀蘭指出2022年上半年將開始布局碳化矽疊碳化矽磊晶市場等等事件來看,第三代半導體趨勢的起飛已是市場共識。

第三代半導體碳化矽的特性在於其寬能隙(Band Gap)比現有Si(矽)的能隙寬度寬三倍以上,可承受10倍以上的電壓,SiC的低損耗、高功率特性適用在高電壓與大電流的應用場域。然SiC之所以成功地被推向市場,主要有三大推力。

第一,國際級領導者的使用:全球電動車大廠特斯拉是第一個搶先採用第三代半導體碳化矽(SiC),電動車在架構上相較於燃油車新增了功率半導體的需求,如逆變器中IGBT模組、OBC、DC/DC中的高壓MOSFET和輔助電器的IGBT,特斯拉在功率元件導入了SiC的材料,成功地發揮Si散熱性佳、提升電源轉換效率及提高電動車續航力等特色,成為特斯拉電動車成本進一步下降的重要關鍵。

第二,全球環保意識抬頭:各國政府為達到碳中和、淨零碳排,紛紛訂定淘汰燃油車的時間表,為了符合政策上的規範,車廠在傳統燃油車領域的成本無形的墊高,進一次促使車廠加速轉進電動車領域。

第三,中國大陸政策大力扶植:以第一代半導體而言,美國在半導體前段設備取得絕對強勢地位,掌握前段製程的科磊、科林、應材都是美國公司,且難度最高的曝光設備荷蘭商ASML也聽命美國,使得中國大陸在先進製程發展受阻。

第二代半導體砷化鎵方面,三安光電在海思扶植下,技術等級原本快要與台灣砷化鎵雙雄拉近,僅相差三到五年,但在海思被禁後,三安光電發展又停滯,因此在第三代半導體發展目前尚未成熟下,尚有彎道超車的想像空間,所以在第三代半導體成為了中國大陸在下一個半導體爭霸戰的重要節點,中國大陸政府目前已提列1兆美元全力發展第三代半導體。

我們認為明年第三代半導體趨勢將更為明顯,台灣國家隊已經形成,從基板的環球晶、磊晶和晶圓代工的漢磊、封測的捷敏、切入模組的朋程,可留意未來評價拉回的機會。

半導體 電動車

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