彭博：DRAM恐缺到2030年 法人看好南亞科、華邦電後市看旺

全球DRAM供應吃緊情勢恐比市場預期更久。彭博資訊最新分析指出，只要全球雲端大咖持續加碼AI基建，DRAM供需緊俏格局至少延續至2027年，甚至拉長到2029年至2030年。

這意味這波記憶體多頭已不只是傳統景氣循環反彈，而是AI帶動產業供需結構出現根本性改變。

法人看好，台廠當中，南亞科（2408）、華邦電（2344）掌握DRAM產能優勢，後市營運同步看旺。

彭博認為，三星、SK海力士、美光等國際記憶體大廠正優先將資源轉向高頻寬記憶體（HBM），進一步排擠一般型DRAM產能，主因HBM要生產與一般DRAM相同的記憶體容量，所需矽晶圓約為後者三至四倍，等於AI對HBM需求愈強，傳統DRAM能取得的產能就愈少。

在上述情況之下，即使記憶體廠積極擴產，供給也難在短期內追上需求。彭博預估，若產能依目前規畫成長，最快也要到2028年供給才有機會追上需求，一旦新廠進度落後，供給吃緊更可能延續更久。

背後最大推力仍是AI，業界點出，Google、亞馬遜、微軟、Meta、SpaceX及甲骨文等科技巨擘2027年資本支出預料持續擴張，AI伺服器不僅大量消耗HBM，同步推升伺服器DDR5及高容量DRAM需求。

台廠中，南亞科成為此波DRAM供需吃緊的優先受惠廠家。

南亞科認為，AI及一般伺服器需求持續推升DRAM用量，在產能受限下，DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4乃至DDR3均面臨供給吃緊；今年首季DRAM平均售價更季增逾七成，反映市場缺口迅速擴大。

南亞科目前除持續供應DDR4、LPDDR4，同步加速提高DDR5比重，客製化AI UWIO記憶體也已開始貢獻營收。

面對中長線需求，南亞科進一步擴大5A新廠投資，2026年至2029年資本支出上限達3,466億元，新廠預計2027年下半年開始投片，2028年月產能達3萬片，2029年達3.59萬片，預計導入1B、1C、1D、1E等先進10奈米級製程及EUV技術。

華邦電對市況看法更為積極，總經理陳沛銘日前直言，2027年記憶體供需恐比2026年更吃緊，在AI相關需求強勁帶動下，客戶甚至已開始洽談2029年、2030年長期供貨。

因應客戶強勁需求，華邦電積極擴產，高雄廠目前月產能約1.5萬片，目標擴增至2.4萬片，並正式啟動Module B擴建，預計2027年初動工、2029年底量產，採用16奈米、14奈米及後續12奈米製程。