跟進台積電 英特爾、三星宣布攜手ASML推動下世代12吋光罩技術

台積電（2330）8日和艾司摩爾於BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，以將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。英特爾（Intel）與三星（Samsung）也隨後分別宣布參與推動下一代12吋光罩技術的產業倡議，並擴大與 ASML 在 High NA EUV 技術上的合作。

依據新聞稿，Intel 持續推進 High NA EUV 量產準備工作，而 Samsung 則規劃在未來 DRAM 製造導入 High NA EUV。

三星計劃在 2028 年前，於業界首度將艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術導入未來的 DRAM 大規模量產中，進一步證明 High NA 技術已具備支援先進記憶體與邏輯晶片應用的成熟度。High NA EUV 有望延續 DRAM 的微縮進程藍圖，其更高的解析度將有助於簡化製程並提升生產效率。