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台積電和三星轉向擁抱最先進High NA機台 並攜ASML押注12吋光罩

比利時晶片研究機構imec展示ASML單價4億美元High NA EUV機台的底部模組。這套設備完成組裝後,將用於開發未來世代晶片並推動商業化。路透
比利時晶片研究機構imec展示ASML單價4億美元High NA EUV機台的底部模組。這套設備完成組裝後,將用於開發未來世代晶片並推動商業化。路透

艾司摩爾(ASML)已獲全球主要晶片製造商承諾採用最新半導體製造設備,同時和客戶展開更廣泛合作,以因應人工智慧(AI)技術快速發展帶來的龐大需求。

三星電子和台積電(2330)分別計劃從2028年和2030年起,將這家荷蘭公司的高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)機台導入大量生產,加入英特爾採用這款單價高達4億美元設備的行列。

這四家公司還同意推動一項艱深卻極為重要的技術變革,也就是改變半導體製造關鍵零組件「光罩」(photomask)的規格。業界計劃從目前標準的6吋光罩改用12吋光罩,希望提高生產效率、降低成本,以追上AI需求狂飆的腳步。

改用更大光罩長久以來一直被認為既複雜又昂貴,但業界如今攜手推動,可望為晶片生產帶來可觀效益。ASML技術長皮特斯(Marco Pieters)表示,新技術可讓High NA設備的產能提高40%,同時簡化設計流程。

皮特斯接受彭博訪問時說:「這是一個龐大機會,當然也代表生產效率將大幅提升。」

ASML是全球唯一能製造極紫外光(EUV)曝光機的公司,這種設備是生產全球最先進AI加速器等晶片不可或缺的工具。ASML在2019年推出低數值孔徑(Low NA)EUV曝光機,此後一直和客戶合作,推動更先進的High NA設備。

台積電原本對採用價格更高的High NA設備一直相當謹慎,認為生產效率帶來的效益尚不足以抵銷昂貴成本。台積電如今決定從2030年起導入High NA設備,初期仍採用目前的6吋光罩。根據周二發布的新聞稿,台積電和ASML計劃在2031年前建置12吋光罩測試產線,目標2033年把12吋光罩和High NA設備正式導入量產。

台積電董事長暨總裁魏哲家在新聞稿中說:「台積電始終相信合作的力量,應在技術障礙演變成半導體產業的經濟障礙之前,共同加以克服。」

三星除了是全球最大記憶體晶片製造商之一,也提供邏輯晶片代工服務,計劃從2028年起把ASML的High NA設備用於記憶體生產。三星另發新聞稿說,將和產業夥伴密切合作,開發所需光罩技術和相關基礎設施。

目前AI資料中心業者需求暴增,造成全球記憶體晶片短缺,也帶動整個電子產業價格上漲。

英特爾為了轉型為晶圓代工業者,已率先取得High NA設備。英特爾表示,目前已能向潛在客戶提供這項技術帶來的效益,而且三年多來一直參與推動改用更大尺寸光罩。

台積電如今轉而積極採用最先進晶片製造設備,對ASML成長極其重要。彭博彙整資料顯示,台積電約占ASML營收16%。隨著三星和英特爾也加碼採用,ASML三大客戶如今都已支持這項轉變。

皮特斯說:「這是High NA導入大量生產的一大進展。如今客戶已經看見,和多重曝光技術相比,High NA設備能帶來更大的效益。」

他表示,隨著晶片製程邁向下一代,需要採用High NA技術的晶片層數預料將增加,因此客戶也開始看到放大光罩尺寸的好處。

三星 ASML 台積電 艾司摩爾

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