鎧俠新招NAND 替代DRAM

記憶體晶片製造商鎧俠控股3日提出計畫，將採用強化後的NAND快閃記憶體，作為部分DRAM替代選項，此舉有助於該公司深化與輝達等美國科技大廠的連結，並抵禦長江存儲等陸廠的衝擊。

該公司在簡報會上，展示運算快取互連（CXL）模組，該零組件是用於應對AI工作需求，可改善NAND的處理速度，目前正交由客戶評估。

人工智慧（AI）伺服器配備多種記憶體。用於暫時儲存資料的DRAM，讀取速度比NAND快，並與中央處理器（CPU）協同處理運算工作。然而，DRAM產能擴充不易，難以跟上日益成長的AI需求，價格也高於用於長期儲存的NAND，拖慢AI資料中心的普及速度。

鎧俠的CXL模組旨在取代部分DRAM需求。這款模組結合高速NAND與控制器，可把資料讀取延遲降至傳統NAND產品的十分之一以下，效能接近DRAM。鎧俠表示，以CXL模組取代系統中的部分DRAM，可使記憶體容量增加一倍，並將效能提升30%。

鎧俠希望藉由建立DRAM替代方案，在業界仍高度依賴NAND產品的情況下，搶占部分DRAM需求，以穩定獲利基礎。

鎧俠專注於NAND記憶體，產品線較為單一，更容易受到市場環境變化影響。南韓三星電子、SK海力士，以及美國美光等競爭對手，則同時生產NAND與DRAM。