聯電接單爆滿 評估南科擴廠

聯電（2303）受惠高通、英特爾、晟碟（Sandisk）等美系大客戶訂單強勁，矽中介層（Interposer）、深溝槽電容（DTC）、矽光子等先進封裝與AI特殊製程訂單爆滿，傳出評估擴建南科12AP7廠區，大啖AI商機。

高通、英特爾等美系大客戶持續加單之餘，聯電同步搭上AI帶來的電源管理晶片（PMIC）需求熱潮，PMIC代工接單同步暢旺，呼應台積電（2330）董事長魏哲家上周於法說會指出，目前成熟製程真正供不應求的產品，主要集中在與AI相關的應用，尤其是PMIC與感測器（Sensors）等兩大領域的說法。

聯電昨（19）日不評論市場傳聞，強調目前AI需求確實相當強勁，正持續評估客戶未來需求，不僅台灣廠區具備擴充空間，新加坡及日本生產基地亦仍有發展空間，將依市場需求審慎規劃後續產能布局。

消息人士透露，聯電順利搭上這波由AI需求熱潮帶動的成熟製程需求列車，正積極深化與美系大廠合作，逐步由傳統成熟製程代工，延伸至前段晶圓製造與先進封裝整合。

聯電已切入高通AI資料中心及邊緣運算生態系，提供矽中介層、DTC及晶圓對晶圓混合鍵合等整合製造技術。

聯電並與英特爾採共同開發模式，攜手打造12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程平台，鎖定WiFi、物聯網、網通及行動通訊基礎建設等應用，結合英特爾在美國亞利桑那州的製造資源，以及聯電在成熟及特殊製程的量產經驗，預計2026年交付製程設計套件，目標2027年量產。

晟碟方面，聯電合作重點在採用混合鍵合技術的記憶體堆疊架構。業界說明，Hybrid Bonding可在不使用傳統微凸塊的情況下，直接進行晶圓或晶粒間的銅對銅互連，具備縮小接點間距、提高互連密度、降低訊號延遲及功耗等優勢，有助提升記憶體堆疊後的頻寬、容量與傳輸效率。

因應AI相關應用接單熱潮，供應鏈透露，聯電正規劃南科12AP7廠區擴建方案，新增月產能上看5萬片，主要鎖定55、65奈米以上特殊製程，並強化DTC、矽中介層、TGV及矽光子等AI相關應用。據了解，12AP7現階段有三種擴建方案，除擴充既有P7廠區外，也預留P8發展空間，業界認為，主要就是為了因應AI伺服器、高速運算及先進封裝需求快速成長。

業界分析，聯電積極強化在矽中介層、DTC、Hybrid Bonding及矽光子等技術量能，將成熟製程能力延伸至AI封裝供應鏈，伴隨相關訂單持續放量，若12AP7擴產計畫順利推進，可望提高高附加價值特殊製程比重，並成為未來營運成長重要新動能。