聯電先進封裝打入高通鏈 業界：搭上邊緣 AI 裝置成長列車

AI伺服器與高效能運算（HPC）需求持續升溫，帶動晶片功耗快速向千瓦（kW）等級邁進，供電效率與電源完整性成為半導體新技術戰場，供應鏈透露，聯電（2303）近年積極布局的嵌入式深溝槽電容（DTC）技術已成功打入高通供應鏈，相關產品開始出貨，在先進封裝領域再下一城。

聯電回應，對單一客戶不予評論，但先進封裝是集團積極強化的技術。業界指出，AI晶片運算能力大幅提升，GPU、AI加速器及邊緣AI晶片對「瞬時供電」需求愈來愈高，傳統封裝架構已難以滿足低雜訊、高效率的電源管理需求。

DTC技術透過在矽中介層（Interposer）或先進封裝基板內嵌高密度電容，大幅縮短供電路徑、降低寄生效應與電源雜訊，提升晶片運作穩定度與效能表現，成為先進封裝的重要關鍵技術之一。DTC近年是國際大廠發展先進封裝的重要技術，包括台積電CoWoS、英特爾EMIB等高階封裝平台，均積極導入相關技術，解決AI晶片功耗持續攀升帶來的供電挑戰。

業界點出，聯電近年持續深化特殊製程技術布局，開發DTC多年，已具備量產能力，相關產品成功切入高通供應鏈，看好聯電後續搭上邊緣AI裝置快速成長列車，包括AI PC、智慧手機、智慧眼鏡及各式終端裝置，皆可望成為DTC技術的重要應用場域。

法人分析，聯電近年除持續鞏固成熟製程市場地位，也透過特殊製程與先進封裝周邊技術提升產品附加價值，以DTC來說，具備技術門檻高、客戶驗證周期長等特性，一旦成功導入客戶平台，供應關係通常相對穩定，有助挹注長期營運動能。綜觀來看，法人認為，聯電此次成功切入高通供應鏈，凸顯其在特殊製程與先進封裝關鍵元件領域的技術實力。