ASML：EUV不是吃電怪獸 先進曝光技術反成半導體節能關鍵

AI浪潮推升全球資料中心與算力需求，用電問題正成為科技產業最棘手的新挑戰。外界普遍認為，先進半導體設備，尤其極紫外光（EUV）曝光機，是高耗能設備代表。不過，ASML台灣總經理汪佳慧今日提出實驗指出，若從整體晶圓製造流程來看，EUV其實不是「吃電怪獸」，反而是幫助半導體產業提升能源效率的重要工具，未來High NA EUV更可望進一步放大節能效益。

這是汪佳慧從英特爾轉換跑道出任ASML台灣總經理後，首場面對媒體的公開談話。汪佳慧今年在揭露ASML永續目標時，針對外界對EUV錯誤的認知，提出上述反駁。

汪佳慧表示，AI發展已讓算力競賽從過去比運算能力，轉變為比誰能取得足夠電力。包括Meta、Google、Oracle與Amazon等雲端服務業者，近期紛紛規畫GW（10億瓦）等級AI資料中心，單一大型AI資料中心用電量甚至相當於一座城市，顯示能源供應已成AI基礎建設發展的關鍵瓶頸。

在此情況下，半導體產業也面臨永續壓力。隨製程推進，電晶體密度持續提高，每一製程節點的碳排放與能源消耗同步增加。若再加上AI帶動晶片需求暴增，整體產業碳排恐快速擴大。

不過，汪佳慧強調，外界若只看單一設備耗電量，容易誤解EUV角色。她指出，半導體製造是一個涉及數百甚至上千道製程的複雜流程，曝光設備雖耗電，但只是其中一環，真正應該看的是整體製程能耗。

她解釋，傳統DUV（深紫外光）製程面對複雜圖形時，往往需透過多重曝光（multi-patterning，也就是多次曝光完成圖案轉移，不僅增加設備運轉時間，也提高能源消耗與生產成本；EUV導入後，可將原本多次曝光縮減為single exposure，一次完成更多製程工作，直接減少製程步驟與設備使用頻率，進而降低整體晶圓廠用電需求。

ASML也持續從設備設計提升能源效率。汪佳慧指出，EUV系統正朝更高產出推進，目標是每小時產出330片晶圓，相較早期NXE平台提升約15%。在相近電力條件下，客戶可生產更多晶圓，等同提高能源使用效率。

此外，第一代EUV自2018年導入至今，每片晶圓能源消耗已降低57%，未來5至10年仍有望再下降30%至40%。依公司技術藍圖，單片晶圓能耗可望從2018年的12.8 MWh降至2031年的2.8 MWh，大幅降低先進製程能源負擔。

更受市場關注的是下一代High NA EUV。Grace透露，目前已看到多家客戶進行早期驗證，初步結果顯示，一台High NA EUV有機會取代3至4道傳統multi-patterning曝光流程，進一步減少設備使用次數與整體能源需求。

除了設備本身，ASML也從操作模式節能。過去高精密EUV設備為確保穩定性，多採「隨時上工（always on）」模式，也就是系統長時間持續運轉；如今透過與客戶共同優化操作模式，逐步轉向「需要時要上工（only when needed on）」，讓部分子系統在閒置時降低功耗，減少不必要能源浪費。