聯電推出14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧型手機顯示技術創新
聯電（2303）今(14)日宣布推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平台，並可提供製程設計套件(Process Design Kit, PDK)供客戶進行設計導入。此全新製程已於聯電12A廠完成驗證，可提升電源效率與效能，同時縮小晶片尺寸，助力新一代顯示技術的發展。
相較於聯電目前量產中最先進的22奈米製程eHV解決方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40%的功耗與縮小35%的晶片面積，進一步延長電池續航力，並支援更小型、輕薄的驅動模組設計，以提供高階與摺疊式OLED智慧型手機顯示應用。在數位電路方面，14奈米平台以FinFET元件取代平面電晶體，並透過最佳化的I/O元件設計與更高的驅動速度，進一步提升電氣效能，確保訊號完整性，同時支援高解析度顯示應用所需的高刷新率。此外，優化後的中電壓元件具備更小的線寬間距並支援更廣泛的電壓操作範圍，為驅動電路設計提供更高的彈性。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示：「顯示應用無所不在，市場需求將持續朝向更高畫質、更快速度與更低功耗發展。聯電很高興能在顯示驅動IC市場中持續領先，此次14奈米eHV平台的推出，是我們首次將FinFET技術導入顯示驅動領域，具有重要里程碑意義。隨著客戶產品功能不斷升級，聯電將持續以領先的製程技術，協助客戶將創新構想化為可量產的成果。」
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