施振榮投資記憶體設計公司Neo半導體：把創新技術商品化

記憶體設計公司Neo半導體（NEO Semiconductor）今日宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM已完成概念驗證（Proof of Concept, POC），在3D記憶體發展上取得重要進展，為邁向新世代高容量記憶體解決方案的重要里程碑，亦期待強化台灣在全球記憶體產業供應鏈中的角色與影響力。NEO同時宣布，已獲得由宏碁創辦人施振榮領軍的策略性投資。

NEO表示，3D X-DRAM採用記憶體單元垂直整合架構，突破傳統記憶體容量擴展限制。該技術可望應用於高頻寬記憶體（HBM）、DDR，以及人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）等領域。相較於現行 HBM 需逐層堆疊 DRAM 晶片的方式，NEO 的創新做法如同「千層糕」，更接近「一體成形」的3D結構，有助於提升整合效率並優化成本。

NEO同時宣布，獲得施振榮投資後，將用於後續技術研發與產品化推進，其參與不僅代表對NEO技術與願景的高度肯定，也將加速公司在新一代記憶體領域的發展。

施振榮表示：「很高興矽谷華人在此領域的創新技術有所突破，在NEO與陽明交大(NYCU)產學創新研究學院(IAIS)及國家實驗研究院台灣半導體研究中心(NIAR-TSRI)攜手合作下，期待借重台灣的半導體產業的基礎與實力，把這項創新技術商品化，將台灣在記憶體產業的設計能力缺口給補起來，讓台灣在記憶體產業也能對全世界有更大的影響力。」

陽明交大資深副校長暨產學創新研究學院（IAIS）院長、台積電前技術長孫元成表示：「此次合作成果展現產學合作的價值，並成功驗證NEO的新型記憶體架構在實際製程條件下的可行性，對推動下一世代記憶體技術具有重要意義，同時也凸顯台灣在半導體研發與驗證上的整合優勢。IAIS將持續透過「產學共創」機制，推動台灣在創新技術與人才培育的長期發展。」

NEO指出，本輪資金已成功支持POC開發，未來將持續推進多層記憶體架構優化，以及與國際記憶體廠商的合作拓展。目前公司已與多家半導體廠商展開交流，推動3D DRAM技術朝實際產業應用邁進。測試晶片由NEO與陽明交大產學創新研究學院共同開發，並於國家實驗研究院台灣半導體研究中心完成製作與測試。

NEO創辦人暨執行長許富菖(Andy Hsu)表示：「傳統 DRAM 正面臨電容微縮極限與容量需求攀升的雙重挑戰，而 3D X-DRAM採用無電容架構，結合成熟的 3D NAND 製程，提供高容量且可擴展的 3D 垂直堆疊解決方案。」