力積電：與美光合作1P製程 2028年下半年量產

晶圓代工廠力積電總經理朱憲國今天表示，與美光（Micron）合作的1P製程開始進入開發階段，預計2027年第1季導入新機台，2028年上半年完成試產，下半年量產。此外，與美光合作的PWF產線預計2027年第4季量產。

力積電下午召開線上法人說明會，公布第1季營運結果。力積電第1季營收新台幣135.72億元，毛利率10.23%，稅後淨利142.31億元，每股純益3.36元。

朱憲國說明與美光合作的進展，與美光合作的1P製程已進入開發階段，新機台預計2027年第1季搬入，2028年上半年完成試產，下半年進入量產。1P的晶圓顆粒數是現有主力製程平台的2.5倍，對未來動態隨機存取記憶體（DRAM）產值增加將帶來明顯助益。

朱憲國指出，與美光合作的高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）產線已於新竹廠區擴建無塵室，預計2026年第3季開始機台搬入，預計2026年第4季開始試產，2027第4季進入量產，目標月產能2萬片。

朱憲國說，力積電2026年起將轉型為以人工智慧（AI）應用為核心的專業晶圓代工廠，以原生記憶體技術為基底，結合邏輯控制晶片，並提供電源管理IC、功率元件、矽中介層及矽電容等應用於2.5D先進封裝重要元件的代工服務。

在記憶體代工業務，朱憲國表示，記憶體市場供給缺口可能延續到2026年下半年。力積電3月大幅調高DRAM代工價格，預期漲價效應將自6月起顯現。

朱憲國指出，力積電4月大幅調漲儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶圓代工投片價格。除了單層型（SLC），也與客戶合作開發多層型（MLC），預計年底前完成製程開發，2027上半年可供客戶設計定案。編碼型快閃記憶體（NOR Flash）在2025年第4季開始放量。

邏輯代工業務，朱憲國說，1月起調漲12吋面板驅動IC及影像感測器代工價格，漲幅都達雙位數水準。AI伺服器用電源管理晶片開始放量，單月投片超過1萬片。