台美日聯手 進擊AI記憶體…力積電扛試產與製造重任

AI催動記憶體商機大爆發，台股農曆年封關期間，國際記憶體族群全面噴漲，台美日也將合力打造下世代AI與超級電腦記憶體，台灣由力積電（6770）扛起試產與製造重任，結合美國半導體巨頭英特爾，以及日本軟銀集團的技術能量，三強聯手重磅出擊。

這項跨國合作，有望讓台灣首次掌握AI關鍵記憶體話語權，打破三星、SK海力士、美光寡占局面。尤其全球AI供應鏈重組之際，力積電正由成熟製程代工，逐步升級為AI記憶體製造與整合的關鍵要角，進一步讓台灣登上AI記憶體大舞台。

AI訓練與推論需求持續攀升，導致記憶體頻寬與功耗成為算力擴張瓶頸，這次台美日聯手打造下世代AI與超級電腦記憶體開發計畫，目標開發全新「Z-Angle Memory」技術，鎖定AI與高速運算（HPC）應用，要在容量、功耗與傳輸效率突破現行高頻寬記憶體（HBM）限制，讓未來AI記憶體比現有HBM更強。

相關開發計畫分工明確，軟銀集團為此新設Saimemory公司，由Saimemory統籌設計與智財管理，結合英特爾在堆疊與記憶體架構的技術，並由力積電與日本新光電氣等廠商協助試產與製造，目標2027年前完成原型開發，並在2029年邁向商業化量產。

英特爾表示，傳統記憶體架構已難滿足AI系統需求，新的記憶體設計將透過多層堆疊與先進組裝方式提升效能，同時降低電力與成本，該方向反映產業趨勢正從單一記憶體元件競爭，轉向系統層級整合，記憶體與運算架構協同設計成為關鍵。

業界分析，AI記憶體被視為算力基礎設施的重要一環，這次台美日聯手進擊下世代AI記憶體，由軟銀集團整合設計與投資資源，英特爾提供架構與技術支援，並導入台灣製造能力，藉跨國協作，有助於建立HBM之外的新記憶體路線，降低對既有供應體系依賴。