DRAM 持續看漲 南亞科、華邦成大贏家

國際記憶體大廠全力衝刺生產AI用高頻寬記憶體（HBM），引爆DRAM產能排擠效應，使得DDR4等利基型DRAM，及用於行動裝置的低功耗LPDDR系列供應大吃緊，價格狂漲。因生產新規格DRAM的機台已無法回頭生產舊規格產品，這場結構性改變，讓DDR4價格持續看增，南亞科（2408）、華邦（2344）成為檯面上兩大贏家。

如今顯卡用GDDR記憶體又來搶產能，勢必使得DDR4與LPDDR系列產出更緊，南亞科、華邦等台廠主攻DDR4與LPDDR產品，在供給遠低於需求下，產品報價持續看增，搭上這波DRAM產能大排擠下的大商機。

美系外資最新報告直指，記憶體大廠產能排擠效應下，市場低估DDR4的市場需求，預期DDR4的漲價幅度在明年第1季可能會非常顯著。因此大幅調高南亞科、華邦等台灣DRAM廠目標價，調幅分別高達52%、22%至198元、88元。

南亞科看好本季毛利率有望續增，總經理李培瑛並預告：「明年將是不錯的一年」的樂觀展望，主要受惠AI應用帶動高階記憶體需求成長，以及原廠持續縮減傳統世代DRAM供給，使市場維持供不應求格局。

華邦指出，過去DDR3和DDR4標準制定時，並未要求內建ECC（糾錯碼）功能，然而，全球前三大DRAM供應商將製程推進到14奈米、13奈米甚至更精密的製程時，極小的位元單元容易產生壞軌（bad bits），必須依靠ECC來補償。由於JEDEC標準不支援DDR3／DDR4在這些先進製程上使用ECC，使得三大記憶體供應商的新工廠和先進製程無法再回頭生產DDR3或DDR4，導致DDR4供應出現結構性缺口，一路缺到2027年。