HBM 規格升級 NOR Flash 用量激增 旺宏傳下季漲價三成

旺宏（2337）搭上AI催動記憶體升級大商機，隨AI伺服器搭載的高頻寬記憶體（HBM）規格從HBM3E走向更高規的HBM4 ，由於HBM4堆疊層數增加，推升編碼型快閃記憶體（NOR Flash）用量激增五成，使得NOR Flash供給開始出現緊張狀況，主力供應商旺宏傳因此調高明年首季報價三成。

近期記憶體市場火熱，DDR4、DDR5價格漲翻天，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場一片向好，隨著NOR Flash跟上漲價潮，更加確立產業景氣欣欣向榮。

旺宏不回應市場傳聞，董事長吳敏求昨（10）日出席「成電論壇」受訪時強調，AI確實帶動記憶體市場向上，旺宏近期也感受到需求與價格走揚，尤其NOR Flash也大量用於伺服器與資料中心，除了現階段的主流產品512Mb，有開始出現1Gb至2Gb的高容量需求，對旺宏有利。

外界以「進入超級循環周期」來形容記憶體市場現況，向來保守的吳敏求認為目前仍難斷言。他強調，價格確實在漲，也確實有缺貨現象，但要說缺口多大、能維持多久，現在都言之過早。

吳敏求分析，過去資料中心以CPU為核心，如今轉向GPU架構後，運算效能大幅提升，各大雲端服務供應商（CSP）正展開資料中心改造計畫，這波AI熱潮能延續多久，仍需觀察各家投入AI的動能。

吳敏求透露，旺宏NOR Flash產品近期在伺服器與資料中心應用出現回溫跡象，主要需求集中在512Mb，也有1Gb至2Gb高容量需求，預期隨著頻寬擴大、資料傳輸速率提升，未來3D NOR技術也將成為關鍵。

供應鏈指出，針對生成式AI、高效能運算（HPC）、高階顯卡和伺服器等需要高效處理大型資料集和複雜運算的應用，HBM4的特性和功能至關重要。進一步來看，HBM4是目前HBM3標準的進階版，提高了資料處理速度，同時保持更高的頻寬、更低的功耗，相較於HBM3，HBM4每個堆疊的通道數將增加一倍，因此實體占用空間更大。

隨著AI伺服器搭載的HBM規格從HBM3E走向HBM4，堆疊層數增加的趨勢下，推升市場對NOR Flash用量提升約50%，旺宏訂單滿手，將在明年首季調漲NOR Flash報價，漲幅上看三成，為業績吞下大補丸。

業界認為，HBM4作為新一代HBM核心升級，系統性能提升之際，也為NOR Flash帶來結構性需求機會，旺宏作為全球主力NOR Flash供應商，直接受惠。