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AI應用帶動需求 慧榮:記憶體恐缺貨一整年

慧榮總經理苟嘉章。 圖/慧榮提供
慧榮總經理苟嘉章。 圖/慧榮提供

人工智慧(AI)應用帶動記憶體需求,外界關注缺貨潮將持續多久。這股熱潮不僅讓研究機構預期DDR5合約價看漲,獲利有望於2026年超越新一代高頻寬記憶體HBM3e,記憶體控制晶片廠商慧榮科技總經理苟嘉章昨(1)日更預期,AI帶動下,可能缺貨一整年。

苟嘉章指出,此次記憶體缺貨潮並不是供應商減產帶動,是結構性缺貨。市場絕對會有重複下單情況,實際情況難以掌握,只希望產業能夠平衡發展。

苟嘉章預估,DRAM在2026年將全年缺貨,不過,隨著三星SK海力士及美光新廠逐步開出,預期2027年缺貨情況可望獲緩解。至於NAND Flash方面,預估2026年NANDFlash市場也將缺貨,預期三年後市場版圖將出現變化;除三星、SK海力士及鎧俠外,長江存儲在中國內需帶動下,可望躋身全球前四大廠之列。

TrendForce最新調查指出,由於伺服器需求維持強勁,預期DDR5合約價於2026全年均將呈上漲態勢,尤以上半年較顯著。反觀當前2026年HBM議價情況,隨著三大原廠在HBM3e競爭激勵,且買方有一定庫存水位,預計合約價轉為年減。

TrendForce分析,今年第2季HBM3e和DDR5仍有四倍以上價差,前者能帶來較佳的獲利。隨著DDR5價格持續走揚,2026年兩者價差明顯收斂,第1季起DDR5獲利將優於HBM3e。

記憶體 SK海力士 三星

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AI推論需求強勁帶動 慧榮:2026年記憶體可能缺貨一整年

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SK海力士產能全被包

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