2030全球半導體市場破兆 ASM以領先原子級技術搶攻先進節點

全球半導體前端製程設備龍頭ASM台灣先藝科技9日出席SEMICON Taiwan 2025國際半導體展「半導體先進製程科技論壇」，由技術副總裁Glen Wilk博士發表主題演講，提出：「Every monolayer matters —— 極致製程，從每一層原子開始」，說明ASM如何透過原子層沉積（ALD）與磊晶（Epi）技術的極致精準控制，推動晶片製造挺進2奈米至埃米等更先進節點，布局下一波半導體創新浪潮。

隨著人工智慧與高效能運算等應用需求攀升，全球半導體產業預計將於2030年突破1兆美元規模，晶片架構也正加速邁向垂直3D化。ASM技術副總裁Glen Wilk博士指出，3D結構對沉積製程的精準度與厚度控制提出更高要求，因此ALD與Epi技術將成為影響晶片性能與可靠性的關鍵。

在FinFET漸趨極限之際，GAA與CFET成為邏輯製程的下一代主流架構。ASM的ALD與Epi技術可在複雜3D結構中提供原子級的高精準度、高均勻性與高階梯覆蓋率的材料沉積，支援高密度、低功耗的電晶體設計。Wilk博士更是提出，選擇性沉積（Area Selective Deposition）技術能有效解決先進製程中的挑戰，僅在指定位置沉積材料，有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能，適用於2奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。

過去50年以來，晶片的演進主要透過縮小電晶體的尺寸來實現。自7奈米節點起，線寬微縮速度放緩，元件性能與能效的提升，則仰賴設計技術協同優化（DTCO），例如GAA、晶背供電（BSPD）、垂直堆疊等技術，以及系統技術協同優化（STCO），例如先進封裝。

這些新設計導入更複雜的結構，對薄膜沉積製程的精準度與控制力提出更高要求。Wilk博士強調，磊晶技術是 GAA元件的核心，在先進邏輯製程中扮演愈加關鍵的角色。在FinFET時代，電晶體內電子流通的通道厚度由微影與蝕刻決定；進入GAA時代，通道則透過原子級精準度的磊晶製程技術長出來。ASM的ALD與磊晶技術不僅驅動當今最先進的晶片製造，更是GAA與CFET技術持續突破的關鍵。