美光推出全球首款 採1-gamma製程節點的LPDDR5X

美商記憶體大廠美光科技今日宣布已開始出貨全球首款採 1γ（1-gamma）製程節點的低功耗雙倍資料速率 （LPDDR5X）記憶體的認證樣品，專為加速旗艦智慧型手機上的 AI 應用而設計。美光 LPDDR5X 提供業界最快的 LPDDR5X 速度等級，達到每秒 10.7 Gb（Gbps），同時還能節省最高達 20% 的功耗1，為智慧型手機帶來更快、更流暢的行動體驗和更長的電池續航時間，即使在執行如 AI 翻譯或圖像生成等資料密集型工作負載時亦然。

美光表示，正在向特定合作夥伴提供採 1γ 製程的 LPDDR5X 16 GB 產品樣品，並將提供從 8GB 到 32GB 的各種容量，用於 2026 年的旗艦智慧型手機。

美光表示，為滿足業界對次世代智慧型手機設計日益增長的輕薄化需求，美光工程師已成功將 LPDDR5X 的封裝尺寸縮小至業界最薄的 0.61 公釐封裝，相比競爭對手產品輕薄 6%，較前一代產品高度降低達14%。小型規格尺寸為智慧型手機製造商在設計超薄或摺疊手機時開啟更多可能性。

美光企業副總裁暨手機和用戶端業務部門總經理 Mark Montierth 表示，美光採 1γ（1-gamma）製程節點的 LPDDR5X 記憶體，為行動通訊產業帶來顛覆性創新。這項突破性技術在業界最薄的 LPDDR5X 封裝中，實現了快如閃電的速度與卓越的功耗效率，為令人振奮的新一代智慧型手機設計開闢新契機。

美光採 1γ 製程的 LPDDR5X 是公司首款採用先進 EUV 微影技術的行動解決方案，正在美光的行動產品組合中逐步採用，它採用業界最先進的記憶體製程節點技術，讓客戶能夠率先體驗最新的效能和功耗效率升級。這一里程碑建立於美光今年2月針對資料中心和用戶端市場的次世代 CPU 提供採 1γ 製程的 DDR5 記憶體樣品的基礎上。美光最佳化的 1γ DRAM 製程節點利用 CMOS7 先進技術，如用於提高電晶體效能的次世代 HKMG （高介電金屬閘極）技術，並採用領先的 EUV 微影技術以提高位元密度。

美光強調，採 1γ 製程的 LPDDR5X 可降低高達 20% 的功耗，這將使行動使用者能在單次充電後能更長時間享受喜愛的 AI 應用程式、遊戲和影音內容。此外，隨著 AI 應用對高效能、具有能源效率的運算需求不斷增加，資料中心伺服器、智慧車輛和 AI PC 也可能愈來愈多採用 LPDDR5X，以獲得其在功耗最佳化與高效能之間的絕佳平衡。