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英特爾新技術 叫陣台積

英特爾營運陷入低潮,公司仍力圖反撲,在業界重量級會議「2024年IEEE國際電子元件會議」發表一系列先進技術,包括透過使用新材料減材釕(subtractive Ruthenium)以提升電晶體容量達25%,同時使用先進封裝的異質整合解決方案,首次讓吞吐量提高100倍,實現超快速晶片對晶片組裝,持續叫陣台積電(2330)。
在英特爾發表的一系列先進技術當中,以採用減材釕來強化晶片間訊號連接速度,讓先進封裝後訊號傳輸速度將可望快上100倍,最受關注。
法人看好,台廠當中,貴金屬材料廠光洋科是台灣進口釕數量最大的代理商,未來隨著釕在半導體先進技術扮演要角,光洋科將優先受惠,後續業績有望進入高速成長期。
英特爾表示,將使用減材釕提升薄膜電阻及降低氣隙效應,讓曝光製程時能減少氣隙排除區,且提高蝕刻準確度。業界說明,釕(Ru)是鉑金的附屬產品,跟鉑金很像,特性是穩定性極佳,因此主要應用在硬碟儲存產業。
英特爾強調,減材釕是一種新的關鍵替代金屬化材料,該公司相關團隊在研發測試工具中展示具備成本效益,且適用於大量生產的減材釕整合製程。採用具備氣隙特性的減法釕,可在間距小於或等於25奈米時,降低線間電容幅度達25%,凸顯出金屬化方案的減材釕在緊密間距中替代銅鑲嵌的優勢。此一解決方案將會出現在英特爾晶圓代工未來的製程節點中。
另外,為進一步推動環繞式閘極(GAA)微縮,英特爾晶圓代工也展示矽RibbonFET CMOS與用於微縮2D FET的閘極氧化物模組的工作成果,可提高元件效能。
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