三星衝HBM 暗示攜手台積…尋求高頻寬記憶體領域合作

三星釋出上季半導體業績不如市場預期,調降其晶圓代工資本支出等訊息,並暗示可能與台積電在高頻寬記憶體協調合作。(美聯社)
三星釋出上季半導體業績不如市場預期,調降其晶圓代工資本支出等訊息,並暗示可能與台積電在高頻寬記憶體協調合作。(美聯社)

南韓科技巨頭三星昨(31)日舉行財報會議,釋出上季半導體業績不如市場預期,調降其晶圓代工資本支出等訊息,僅AI相關市場發展與公司布局讓市場驚艷,三星並暗示可能與台積電(2330)在高頻寬記憶體(HBM)協調合作,以滿足多家客戶不同需求。

法人指出,目前台積電高頻寬記憶體最主要合作夥伴為另一家韓國記憶體大廠SK海力士,若三星也加入相關合作,對台積電衝刺AI等高速運算事業將有正面助益,持續帶旺台積電營運。

三星昨天公布上季整體營業利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韓元(66.6億美元),略高於本月初初估的9.1兆韓元,營收也成長17.3%至創紀錄的79.09兆韓元。不過,上季晶片部門營業利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韓元(28億美元),營收季增3%至29.27兆韓元,皆低於預期。

三星表示,已從高頻寬記憶體、DDR5及伺服器儲存產品獲得「龐大營收成長」。預期本季半導體事業表現將好轉,儘管行動和PC記憶體晶片需求可能疲軟,AI成長將維持需求在熱絡水準,預測消費電子產品市況仍將相當平淡,AI和資料中心需求將維持強勁,伺服器記憶體產品需求到明年都將「強勁且穩定」,包括AI和傳統伺服器。

三星記憶體事業主管金在俊表示,將彈性減產部分傳統DRAM和NAND晶片到符合市場需求的水準,以加速轉換到先進製程節點。

三星預定下半年開發並量產HBM4,明年記憶體部門將聚焦於高頻寬記憶體和伺服器固態硬碟(SSD),暗示可能和台積電協調合作,以滿足多家高頻寬記憶體客戶的不同需求。

三星主管也暗示,HBM3E晶片在贏得輝達(NVIDIA)認證方面「大有進展」,預期第4季將向客戶銷售。

三星並發布新聞稿指出,預料在AI PC和AI應用帶動下,明年整體晶圓代工市場將雙位數成長,但該公司未提供其晶圓代工事業的成長預估。

三星在新聞稿提到,晶圓代工業務明年寄望成功的2奈米量產來確保主要客戶。 此外,整合先進的製程節點和先進封裝解決方案以進一步開發HBM Buffer die(緩衝裸晶)有助獲得人工智慧和高速運算(HPC)新客戶。

三星提到,今年資本支出將比去年略增3.6兆韓元、達56.7兆韓元,晶片資本支出預料為47.9兆韓元(347億美元),略低於去年,主要是縮減今年晶圓代工資本支出,集中於現有產線的技術轉變。今年記憶體資本支出則將與去年相同,優先投入高頻寬記憶體和DDR5等高附加價值產品。

相較下,台積電今年資本支出將略高於300億美元。彭博資訊指出,三星今年資本支出只略高於台積電,引人懷疑如何同時在高頻寬記憶體趕上SK海力士、在晶圓代工追趕台積電。


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