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HBM3e 12hi 面臨良率學習曲線、客戶驗證挑戰

示意圖。記者吳康瑋/攝影
示意圖。記者吳康瑋/攝影

近期市場對於2025年HBM可能供過於求的擔憂加劇,而集邦(TrendForce)資深研究副總吳雅婷30日表示,由於明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數,加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長,目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。

根據集邦最新調查,Samsung、SK hynix與Micron已分別於2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品,目前處於持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快,有望於今年底完成驗證。

市場傳出因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔(Through-Silicon Via, TSV)製程產能,將造成2025出現供過於求與價格下滑的可能。根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫,Samsung將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K,提升幅度超過40%,而SK hynix在同期的月產能提升比例預估為25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證,產能提升規劃是否能落實有待觀察。

吳雅婷表示,從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看,當時8hi產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定,有鑑於此,當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時,推測學習曲線也無法明顯縮短。此外,NVIDIA(輝達) B200、GB200和AMD MI325、MI350都將採用HBM3e 12hi,由於整機造價高昂,對HBM的穩定度要求將更嚴苛,成為HBM3e 12hi量產過程的一項變數。

集邦預估,受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動,2025年的HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上,其中12hi的占比將超過一半,成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品,其次則是8hi。因此,即便出現供過於求情況,推測最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上,至於對各DRAM供應商的影響程度,將取決於各家的產品組合。

目前集邦對DRAM產業展望維持不變,預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出,較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高,估計對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30%。

DRAM Samsung

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