科林研發推出 Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND微縮

美商半導體設備大廠科林研發（Lam Research ）今日宣布推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。這項技術主要因應生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求， 為未來先進3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。

科林研發表示，Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。

科林研發全球產品事業群資深副總裁 說，Lam Cryo 3.0 為客戶邁向 1,000 層 3D NAND 奠定基礎。公司已經使用科林研發低溫蝕刻製造了500萬片晶圓，這項最新技術是3D NAND生產領域的突破。它以埃米級精度建立高深寬比（HAR）特徵，同時對環境造成更低的影響，且蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上。Lam Cryo 3.0 是我們的客戶在人工智慧時代突破 NAND 關鍵製造挑戰所需的蝕刻技術。」

Sesha Varadarajan 進一步表示，迄今為止，3D NAND 主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的 HAR 儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。

Counterpoint Research 聯合創辦人暨研究副總裁 Neil Shah 表示，人工智慧正在推升雲端和邊緣的快閃記憶體容量和效能的大量需求。促使晶片製造商擴大 NAND 快閃記憶體的規模，力爭在2030 年底前實現 1,000 層 3D NAND。Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術是突破傳統技術的大躍進。它以近乎完美的精度和控制來蝕刻深寬比 50 倍以上的儲存通道，實現小於 0.1% 的蝕刻輪廓誤差。這一突破顯著提高了先進 3D NAND 的良率和整體效能，使晶片製造商能夠在人工智慧時代保持良好的競爭力。

Lam Cryo 3.0 利用該公司獨特的高功率侷限電漿反應器、製程改善和遠低於 -0oC 的溫度，從而利用新型蝕刻化學製程。與科林研發最新的 Vantex® 介電層系統的可擴展脈衝電漿技術結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著增加。使用 Lam Cryo 3.0 技術，3D NAND 製造商可以蝕刻深度高達 10 微米的儲存通道，從頂部到底部的關鍵尺寸誤差*小於 0.1%。