台積電攻 AI 商機再下一城 協同創意拿下記憶體廠訂單

台積電（2330）搶攻AI商機再下一城，繼獨家代工輝達（NVIDIA）、超微（AMD）等科技巨頭AI晶片之後，傳出協同旗下特殊應用IC（ASIC）設計服務廠創意（3443），揮軍AI伺服器必備的高頻寬記憶體（HBM）關鍵周邊元件有成，攜手取得下世代HBM4關鍵的基礎介面晶片（base die）大單。

台積電與創意向來不對訂單動態置評。法人指出，AI需求強勁，不僅高速運算（HPC）相關晶片炙手可熱，HBM需求同步強強滾，成為市場新商機，吸引SK海力士、三星、美光等三大記憶體晶片廠積極投入，在AI引擎催動下，現階段HBM3／HBM3e等HMB產能正處於供不應求盛況。

隨著AI晶片製程明年進入3奈米世代，現有HBM3／HBM3e礙於容量及速度限制，恐導致新一代AI晶片無法發揮最大算力，三大記憶體晶片廠不約而同拉高資本支出，開始投入下世代產品HBM4研發，目標2025年底量產，2026年放量出貨。

記憶體晶片廠開始鑽研下世代HBM4研發之際，半導體標準化組織JEDEC固態技術協會也忙著制訂HBM4相關新標準，並傳出JEDEC將放寬HBM4的堆疊高度限制到775微米，代表原先必須使用的混合接合先進封裝技術可延後到下一代HBM規格再使用。

業界推測，HBM4最大轉變除了堆疊高度增加到16層DRAM堆疊之外，為了增加頻寬傳輸速度，HBM底部還需要加上邏輯IC，成為新一代HBM4最大變革，亦可能是JEDEC放寬堆疊高度限制的原因之一，而這顆至為關鍵的邏輯IC即基礎介面晶片。

業界傳出，創意已經順利拿下DRAM大廠在HBM4的關鍵基礎介面晶片委託設計案訂單，預期最快明年設計定案，將依高效能或低功耗不同，分別採用台積電12奈米及5奈米生產，預期下半年委託設計（NRE）開案將明顯貢獻營收，搶進HBM供應鏈。

另一方面，進入HBM4世代後，使用的基礎介面晶片需再度微縮以增加電晶體容量，業界研判，後續可望有更多記憶體廠將基礎介面晶片交由創意及台積電量產，創意未來潛在獲利空間大幅看增。