三星西安NAND Flash廠 啟動升級

首爾經濟日報報導,三星在獲得美國允許,無限期豁免於美國對大陸實施的半導體設備出口限制措施後,開始展開旗下位於大陸西安的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)工廠升級計畫,目標量產當下業界堆疊層數最高、達236層的NAND晶片,大秀技術肌肉,也牽動NAND市場後續動態。

報導引述消息人士談話指出,三星已經下了設備採購訂單,西安廠預期今年年底前就會接收到設備。目前三星西安廠主要生產128層NAND晶片。

三星決定升級西安廠的另一原因,則是要促成自然的產量減少,以便重新平衡市場的供需情勢,因為236層的第八代NAND晶片產量比128層的第六代NAND晶片產量少了30%,主要是第八代的製程比第六代多了更多製程步驟,惟整體位元成長(Bit Growth)量應該也會比前一代產品大幅提升。

NAND 三星 晶片

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