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M31推N12e產品 再獲台積電特殊製程 IP合作夥伴獎肯定

台積電示意圖。路透
台積電示意圖。路透

矽智財(IP)廠M31(6643)在台積電北美開放創新平台生態系統論壇(TSMC North America 2023 Open Innovation Platform (OIP) Ecosystem Forum)上,由 M31技術行銷副總-Jayanta 發表演講「推動 AIoT 創新 - M31 N12e 低功耗矽智財」,展示M31 在台積電 N12e 製程平台上的低功耗矽智財(IP)解決方案,並第七度獲頒台積電特殊製程IP合作夥伴獎的肯定。

人工智慧物聯網(AIoT)已經在技術和應用領域顯示出巨大的商業潛力,AIoT 的應用範圍從手機和平板電腦持續擴展到家電、工廠、醫療保健裝置以及自動駕駛汽車等領域,隨著先進製程技術的不斷進步,5G通信和高速運算等領域更成為發展的關鍵方向。

M31 表示,身為台積電長期緊密合作夥伴,M31幾乎年年獲頒特殊製程IP合作夥伴獎,肯定M31在IP開發與服務上的傑出表現。在人工智慧化的物聯網裝置及其他高效率、高效能的邊緣裝置應用發展浪潮下,M31 也緊跟台積電 N12e 製程技術平台發展腳步。

M31針對 AIoT 市場對於速度、功耗、成本面積不同的設計需求,開發一系列低功耗IP解決方案,可支援更高效能、更佳功率與更低漏電的要求,其中包括低功耗記憶體(Memory Compiler)、標準元件庫(Standard Cell Library)、通用IO元件庫(General Purpose Input/ Output Library,GPIO)。

其中, M31推出兩種不同特性的低功耗記憶體,分別是低電壓設計的 Low VDD 記憶體和低漏電 ULL 記憶體。Low VDD 記憶體支援0.6V的低電壓,提供四種低功耗模式和頻率調節技術(DVFS),並透過M31讀寫輔助技術可確保在低電壓操作時的穩定性。

而M31低漏電 ULL 記憶體則使用台積電 ULL bit-cell 技術,可大幅提升靜態低功耗的表現,達到節能設計的目標。此外,客戶還能採用M31具競爭力的低功耗標準元件庫,並搭配電源管理和低功耗優化套件,有助於客戶縮短開發週期,提高模組精準度,特別適用於各種 AIoT 設計。

台積電 記憶體

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