麻省理工跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝 可大幅提高集成電路密度

集微網消息，科技日報報導，美國麻省理工學院某跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝，可直接在矽晶片上有效且高效地生長二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）材料層，以實現更密集的集成。相關論文發表在《自然·納米技術》雜誌上。

這項技術繞過之前與高溫和材料傳輸缺陷相關的問題，縮短生長時間，並允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層，這使其成為商業應用的理想選擇。

據介紹，讓2D材料直接在矽片上生長是一個重大挑戰，這一過程通常需要大約600℃高溫，而矽晶體管和電路在加熱到400℃以上時可能會損壞。新開發的低溫生長過程則不會損壞晶片。過去，研究人員在其他地方培育2D材料後，再將它們轉移到芯片或晶片上，這往往會導致缺陷，影響最終器件和電路的性能。此外，在晶片規模上順利轉移材料也極其睏難。相比之下，這種新工藝可在8英寸晶片上生長出一層光滑、高度均勻的層。

科技日報消息指出，新技術能顯著減少種植這些材料所需時間。以前方法需要一天多的時間才能生長出一層2D材料，而新方法可在一小時內在8英寸晶片上生長出均勻的TMD材料層。